1. 日本経済新聞, 2025/11/13, “東京科学大、低電圧でデータ保つSRAM　待機電力93%減”  掲載元リンク
  2. マイナビニュース, 2025/11/6, “科学大、SRAMを不揮発性メモリ並みに省電力化するCMOSメモリ技術を開発”  掲載元リンク
  3. EE times, 2025/11/5, “0.2Vでデータ保持できる新型CMOSメモリ技術を開発、東京科学大”  掲載元リンク
  4. Science Tokyoニュース, 2025/10/31, “0.2 Vの超低電圧でデータを保持できる新しいCMOSメモリ技術を開発”  掲載元リンク
  5. 日本経済新聞, 2025/5/19, “東京科学大、AI半導体の積和演算並列化　電力効率向上”  掲載元リンク
  6. 日刊工業新聞, 2025/5/13, “東京科学大が新演算技術　AI半導体の消費電力を低減”  掲載元リンク
  7. EE times 特集「AI everywhere エッジAIがもたらす革新」, 2025/4/24, “超低電圧動作でエネルギー効率を大幅向上、PIM型アクセラレーター”  掲載元リンク
  8. Science Tokyoニュース, 2025/4/23, “エネルギー最小点で動作する並列演算ニューラルネットワーク・アクセラレータ技術を開発”  掲載元リンク
  9. 日本経済新聞, 2023/5/17, “東工大、低消費電力のAI半導体技術　スマホ向け想定”  掲載元リンク
  10. EE times, 2023/4/28, “東工大ら、PIM型NNアクセラレーターのマクロを開発”  掲載元リンク
  11. 東工大ニュース, 2023/4/26, “エネルギー最小点で動作するAI半導体（ニューラルネットワーク・アクセラレータ）技術の開発に成功”  掲載元リンク
  12. 東工大ニュース, 2020/11/6, “東工大ニュース, 2023/4/26, “エネルギー最小点で動作するAI半導体（ニューラルネットワーク・アクセラレータ）技術の開発に成功”  掲載元リンク
  13. 日刊工業新聞, 2020/10/28, “体温で高出力発電　東工大、マイクロ熱電発電モジュール開発”  掲載元リンク
  14. 日刊工業新聞, 2016/12/28, “東工大、マイクロプロセッサーの待機電力を大幅削減”  掲載元リンク
  15. 日本経済新聞, 2016/11/28, “ウエアラブル機器、電源の確保効率化　東工大や東京理科大”  掲載元リンク
  16. EE times, 2016/11/17, “不揮発SRAMでプロセッサの待機時電力を大幅削減” ] 掲載元リンク
  17. 東工大ニュース, 2016/11/14, “マイクロプロセッサの待機時電力を大幅に削減する新技術を開発”  掲載元リンク
  18. 日経クロステック, 2015/3/31, “「不揮発性はパワーゲーティングにこそ生きる」、東工大がSRAM＋MTJで実証”  掲載元リンク
  19. EE times, 2015/3/25, “不揮発性パワーゲーティング、メニーコアプロセッサの待機電力削減に威力”  掲載元リンク
  20. 東工大ニュース, 2015/3/20, “不揮発性パワーゲーティングがCMOSロジックシステムの待機時電力削減に威力”  掲載元リンク
  21. Tokyo Tech News, 2013/2/28, “High performance logic systems for less power”  掲載元リンク
  22. 日刊工業新聞, 2013/1/18, “東工大など、ＣＭＯＳ・電子スピン融合−メモリー低消費電力化”  掲載元リンク
  23. 日経クロステック, 2012/12/17, “【IEDM】STT-MRAM技術でスピンMOSFETを実現、東工大などが不揮発性SRAMへの応用を提案  掲載元リンク
  24. マイナビニュース, 2012/12/12, “IEDM 2012 - 東工大、CMOS/スピントロニクス融合の低消費電力技術を開発”  掲載元リンク
  25. 東工大ニュース, 2012/12/11, “CMOS/スピントロニクス融合技術を用いた新しい低消費電力技術を開発”  掲載元リンク
  26. 東工大ニュース, 2012/12/11, “CMOS ロジックの消費電力を大幅に削減する新しいデバイス・回路技術確立”  掲載元リンク
  27. H. Dyball, Electronics Letters, vol. 47, no, 18, 2011/9/1, “a new spin on the MOSFET”, p. 1007  掲載元リンク
  28. Alfred A. Zinn, MRS BULLETIN, 2004/5, “Simulation of Spin-MOSFET Predicts Strong Dependence of Spin Transport on Magnetic Configuration”, p. 302  掲載元リンク
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