トップ > 最新情報 > 伊賀健一栄誉教授,小山二三夫名誉教授の「日本学士院賞」受賞が決定(2026年3月12日)
最新情報
| 受賞者 | 伊賀健一栄誉教授,小山二三夫特任教授/名誉教授(量子光エレクトロニクス研究コア) |
| 受賞先 | 日本学士院 |
| 賞 | 日本学士院賞 |
| 研究題目 | 「垂直共振器型面発光レーザの実現・性能向上と応用展開」(共同研究) |
| 受賞日 | 2026年3月12日(木) |
2026年の日本学士院賞に伊賀健一栄誉教授と小山二三夫名誉教授・特任教授が選ばれました。日本学士院が3月12日に発表したもので、授賞式は、7月13日に日本学士院会館において行われる予定です。なお、本学関係者としては、砂田利一明治大学名誉教授(昭和47年理学部卒)も選ばれました。
日本学士院賞は、日本学士院が授与する我が国で最も権威ある学術賞の一つであり、学術上特に優れた研究業績を挙げた研究者に贈られるものです。
伊賀健一栄誉教授と小山二三夫名誉教授・特任教授は、「垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)」の実現、性能向上および応用展開に関する研究を長年にわたり推進してきました。VCSELは半導体レーザの一種であり、低消費電力・高効率・高密度集積などの特長を有する光源として、光通信やデータセンタ、センシングなどの分野で広く利用されています。伊賀健一栄誉教授は1977年にVCSELの基本概念と構造を提案し、1979年に低温での動作を実現しました。続いて、光を垂直方向に往来させる共振器の性能を高めるための工夫などを続け、小山二三夫名誉教授と共同で1988年に室温での連続発振に成功しました。これが契機となり、面発光レーザは大発展し、インターネットのLAN、データセンターの高速光通信,顔認証,光レーダーなどの応用が大きく伸びています。本受賞は、半導体レーザおよび光エレクトロニクス分野における長年の先駆的研究とその社会的・産業的インパクトが高く評価されたものです。
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| 図1 垂直共振器型面発光レーザの基本構造 | 図2 2次元的に配置される面発光レーザアレ−のイメージ |

「このたびの受賞は大変光栄であり、長年にわたり研究を支えてくださった多くの共同研究者、学生、関係者の皆様に深く感謝申し上げます。面発光レーザの研究は、多くの方々の努力によって発展してきました。今後も光エレクトロニクス分野の発展に微力ながら貢献していきたいと思います。」

「このような栄誉ある賞を頂き大変光栄に存じます。面発光レーザの高速化や応用展開の研究は、多くの共同研究者とともに進めてきた成果です。今後も次世代光インターコネクト技術の発展など、その普及に貢献したいと思います。」
垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)
半導体基板に対して垂直方向に光を共振・発振させ、基板表面から光を放射する半導体レーザ。低消費電力・高効率・アレイ化の容易さなどの特長を持ち、データセンタの光通信やセンシングなど幅広い分野で利用されている。
小山二三夫特任教授/名誉教授(量子光エレクトロニクス研究コア)
http://vcsel-www.pi.titech.ac.jp/
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